过压保护|防雷(图)|认证防浪涌电阻|防浪涌电阻
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通流容量:

通流容量是指施加规定波形的冲击电流和冲击次数,冲击后压敏电压的变化小于或等于规定值时所能通过的电流。它和脉冲幅度,脉冲持续时间及应用中所要承受的脉冲次数有关,可从降额曲线中查得。测量时一般施加8*20μs或2ms的方波。


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电压比与残压UR

电压比指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。

残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时,它两端电压的峰值。一般来说,流入压敏电阻器的浪涌电流的峰值都在1mA以上,对通用压敏电阻和防雷型压敏电阻而言,所谓特定波形指的是IEC本60060-2: 1973标准规定的8/20 μs标准雷电流波形。

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ZnO压敏电阻器的结构:

晶粒体为电阻率很低的半导体,晶界为绝缘体,类似边界层电容器,另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同,两晶粒交界处结构松弛,杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低,所以容易在晶界偏析。

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